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更多>>晶振校準和校準公差示例
來源：http://m.rxwanggebu.com 作者：康比電子 2019年01月22
串聯和并聯諧振
在串聯諧振電路中工作的晶振將呈現電阻性,據說以串聯諧振頻率Fs工作.在串聯諧振頻率阻抗將接近零,負載電容將是無限的,晶體將以低于并聯或負載諧振的頻率工作.
在并聯或負載諧振時,晶體將在電路中呈現電感,并且阻抗將在并聯諧振頻率處達到其峰值.電路電抗值的變化將"拉動"晶體的頻率.必須指定負載或并聯電容,即在晶體端子上測量的總電路的動態電容.在并聯電路設計中,應選擇負載電容以在Fs至F1電抗曲線上的穩定點處操作晶體.當負載電容與石英晶振單元串聯時,不同的頻率結果稱為負載或并聯諧振頻率.如果相同的電容值與晶體單元并聯連接,則會出現相同的頻率.實際上,總負載電容是雜散電容和負載電容之和.由負載電容引起的頻率變化稱為DELTAF.
校準和校準公差
晶振單元的校準是將振動頻率調整到規范所規定的設計頻率.校準,有時稱為Set-On,通過從電極添加或去除金屬從石英板添加或去除質量來實現.增加質量將降低頻率并且去除質量將提高頻率,并且存在自動和手動制造過程以進行調整.
對于大多數ATCut晶體,指定校準并在25度下執行.C或室溫(拐點處或附近).對于設計用于OCXO晶振應用的晶體,校準在烘箱的工作溫度下進行,該溫度設定為上反轉點的溫度.
校準貼片晶振的頻率涉及公差.就像要求十個木匠將一塊木頭切成6英寸長,結果就是十塊木頭,長度在一個標稱的六英寸范圍內.有些會有點長,有些會比6英寸短,但都接近6英寸.所需精度(校準規格)的水平將包括公差,例如6英寸+/-1/16英寸.在晶體的情況下,校準規范將包括設計頻率和以32.768K,百分比或PPM表示的容差.表示相同頻率和容差的示例將是：
10MHz.+/-100Hz.@25度C
10MHz.+/-.001％@25度C
10MHz.+/-10PPM@25度C
隨著指定精度的增加,校準過程變得更加困難,產量降低.嚴格的精度規格是成本/價格驅動因素.精度的例子如下：
非常高的精度:+/-2PPM@25度.C*
HIGHPRECISION:+/-5PPM@25度C*
精度:+/-10PPM@25度C*
SEMI-PRECISION:+/-20PPM@25度.C
低精度:+/-30PPM@30度C
NON-PRECISION:+/-100PPM@25°.C
*由于DeltaF與負載電容的非線性,
不建議校準精度=/<10PPM.建議負載電容=/>20pF
在串聯諧振電路中工作的晶振將呈現電阻性,據說以串聯諧振頻率Fs工作.在串聯諧振頻率阻抗將接近零,負載電容將是無限的,晶體將以低于并聯或負載諧振的頻率工作.
在并聯或負載諧振時,晶體將在電路中呈現電感,并且阻抗將在并聯諧振頻率處達到其峰值.電路電抗值的變化將"拉動"晶體的頻率.必須指定負載或并聯電容,即在晶體端子上測量的總電路的動態電容.在并聯電路設計中,應選擇負載電容以在Fs至F1電抗曲線上的穩定點處操作晶體.當負載電容與石英晶振單元串聯時,不同的頻率結果稱為負載或并聯諧振頻率.如果相同的電容值與晶體單元并聯連接,則會出現相同的頻率.實際上,總負載電容是雜散電容和負載電容之和.由負載電容引起的頻率變化稱為DELTAF.
晶振單元的校準是將振動頻率調整到規范所規定的設計頻率.校準,有時稱為Set-On,通過從電極添加或去除金屬從石英板添加或去除質量來實現.增加質量將降低頻率并且去除質量將提高頻率,并且存在自動和手動制造過程以進行調整.
對于大多數ATCut晶體,指定校準并在25度下執行.C或室溫(拐點處或附近).對于設計用于OCXO晶振應用的晶體,校準在烘箱的工作溫度下進行,該溫度設定為上反轉點的溫度.
校準貼片晶振的頻率涉及公差.就像要求十個木匠將一塊木頭切成6英寸長,結果就是十塊木頭,長度在一個標稱的六英寸范圍內.有些會有點長,有些會比6英寸短,但都接近6英寸.所需精度(校準規格)的水平將包括公差,例如6英寸+/-1/16英寸.在晶體的情況下,校準規范將包括設計頻率和以32.768K,百分比或PPM表示的容差.表示相同頻率和容差的示例將是：
10MHz.+/-100Hz.@25度C
10MHz.+/-.001％@25度C
10MHz.+/-10PPM@25度C
隨著指定精度的增加,校準過程變得更加困難,產量降低.嚴格的精度規格是成本/價格驅動因素.精度的例子如下：
HIGHPRECISION:+/-5PPM@25度C*
精度:+/-10PPM@25度C*
SEMI-PRECISION:+/-20PPM@25度.C
低精度:+/-30PPM@30度C
NON-PRECISION:+/-100PPM@25°.C
*由于DeltaF與負載電容的非線性,
不建議校準精度=/<10PPM.建議負載電容=/>20pF
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