>1MHz的晶體通常是AT切割晶體。這些設備可以承受很寬的驅動電平范圍。在達到毫瓦驅動水平之前不會發生斷裂。額外的老化可能發生在更高的µW驅動范圍。過度驅動晶體會激發不需要的振動模式。這些可能導致在不同的狹窄溫度范圍內出現嚴重的頻率跳躍。

7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm

頻率溫度特性
晶體的頻率響應由晶體穿過石英晶體的原子平面的切割決定。這導致穩定和可重復的溫度響應。該圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率溫度響應。每條曲線有2分鐘的弧度不同。

7C-40.000MBA-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC 晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC 晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC 晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC 晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm

指定晶體和來料檢驗晶體具有許多參數，應指定這些參數以確保收到滿足最終應用要求的設備。
頻率/校準，設定點為25°C/CLOAD/穩定性、頻率與溫度的關系（以25°C為基準）/工作溫度范圍/Cl的最大ESR，石英晶體諧振器電阻/C0范圍，引腳間電容/LMOTIONAL或CMOTIONAL，設置晶體的可拉性/駕駛水平/頻率和電阻的驅動電平相關性(DLD)/老化/絕緣電阻

7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC 晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC 晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm

還有其他規格，例如每°C的最大允許頻率變化，或平滑曲線的最大允許響應（擾動控制）。進貨檢驗或測試需要專門的設備：晶體阻抗計（CIMeter）/帶有特殊測試夾具和軟件的網絡分析儀
CLOAD溫度系數可以將這種響應改變很多分鐘。CLOAD值和電容器對于振蕩器滿足所需特性至關重要。放大器的CSTRAY和放大器相移隨溫度的變化都會影響頻率溫度特性。

7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC 晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC 晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC 晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm

使用振蕩器的設計注意事項:2.1振蕩器安裝了未完成的晶體，并且在過程的最后部分，晶體在室溫下校準其頻率。2.2晶體與振蕩器電路的溫度系數相匹配。改變晶角或切割以抵消振蕩器電路的溫度系數。2.3通向晶體的引線通常被密封在密封晶體封裝中，以盡量減少最終用途改變振蕩器性能的任何機會。使用示波器、頻率計數器和電源可以輕松測試或驗證振蕩器的性能。

7X-20.000MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC 晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC 晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC 晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC 晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC 晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC 晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC 晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb

在數據表中指定。 振蕩器設計的一部分。
振蕩器封裝通常可以保護器件免受系統噪聲注入。
最終用戶必須通過電源引線旁路提供無噪聲電源信號。

7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC 晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC 晶振	TC	MEMS (Silicon)	70MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	19.2MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	64MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC 晶振	TD	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	±25ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC 晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC 晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm